Infineon Technologies - IRF7811TR

KEY Part #: K6414437

[12755個在庫]


    品番:
    IRF7811TR
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7811TR electronic components. IRF7811TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7811TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7811TR 製品の属性

    品番 : IRF7811TR
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 28V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 15A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 16V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.5W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRFIBG20G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 1000V TO-220FP.

    • IRFIZ44G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

    • IRFI9Z34N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP.

    • IRFI9Z24N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP.

    • IRFI9Z14G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

    • IRFI9610G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP.