NGTD17T65F2WP 価格設定（USD） [45222個在庫]
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- 298 pcs$0.82027
- 品番:
- NGTD17T65F2WP
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTD17T65F2WP electronic components. NGTD17T65F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD17T65F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTD17T65F2WP 製品の属性
品番 :
NGTD17T65F2WP
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
電流-パルスコレクター（Icm） :
160A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 40A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
-
Td（オン/オフ）@ 25°C :
-
試験条件 :
-
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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