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Microchip Technology - TN5335K1-G

KEY Part #: K6394074

TN5335K1-G 価格設定（USD） [162137個在庫]

  • 1 pcs$0.23372
  • 3,000 pcs$0.23255
品番:
TN5335K1-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology TN5335K1-G electronic components. TN5335K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN5335K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN5335K1-G 製品の属性

品番 : TN5335K1-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 350V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 110mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 3V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 15 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 110pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 360mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23 (TO-236AB)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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