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- 品番:
- RJH60D5DPK-00#T0
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 75A 200W TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Renesas Electronics America RJH60D5DPK-00#T0 electronic components. RJH60D5DPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJH60D5DPK-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJH60D5DPK-00#T0 製品の属性
品番 :
RJH60D5DPK-00#T0
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
IGBT 600V 75A 200W TO3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
75A
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.2V @ 15V, 37A
パワー-最大 :
200W
スイッチングエネルギー :
650µJ (on), 400µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
78nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
50ns/135ns
試験条件 :
300V, 37A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
100ns
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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