Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J56ACT,L3F

KEY Part #: K6421660

SSM3J56ACT,L3F 価格設定(USD) [1311661個在庫]

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品番:
SSM3J56ACT,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J56ACT,L3F 製品の属性

品番 : SSM3J56ACT,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
シリーズ : U-MOSVI
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 100pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : 150°C
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : CST3
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883

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