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Microsemi Corporation - JAN1N5415

KEY Part #: K6427653

JAN1N5415 価格設定（USD） [8548個在庫]

  • 1 pcs$4.82104
  • 118 pcs$3.81150
品番:
JAN1N5415
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 50V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5415 electronic components. JAN1N5415 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5415, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5415 製品の属性

品番 : JAN1N5415
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/411
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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