Vishay Semiconductor Diodes Division - SE30AFJHM3J/6A

KEY Part #: K6457780

SE30AFJHM3J/6A 価格設定(USD) [680550個在庫]

  • 1 pcs$0.05435

品番:
SE30AFJHM3J/6A
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD Prot AEC-Q101 Qualified
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30AFJHM3J/6A electronic components. SE30AFJHM3J/6A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30AFJHM3J/6A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE30AFJHM3J/6A 製品の属性

品番 : SE30AFJHM3J/6A
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, PAR®, SlimSMA™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 3A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 19pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-221AC (SlimSMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated