Taiwan Semiconductor Corporation - HER606G R0G

KEY Part #: K6430533

HER606G R0G 価格設定(USD) [242571個在庫]

  • 1 pcs$0.15248

品番:
HER606G R0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 6A R-6. Rectifiers 6A,600V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HER606G R0G 製品の属性

品番 : HER606G R0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 6A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 65pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : R6, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : R-6
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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