Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-40HFL100S05

KEY Part #: K6425002

VS-40HFL100S05 価格設定(USD) [7199個在庫]

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品番:
VS-40HFL100S05
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 40A DO203AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-40HFL100S05 electronic components. VS-40HFL100S05 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-40HFL100S05, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-40HFL100S05 製品の属性

品番 : VS-40HFL100S05
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 40A DO203AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 40A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.95V @ 40A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 500ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-203AB
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 125°C

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