現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. IS43DR16160B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI

KEY Part #: K938861

IS43DR16160B-3DBLI 価格設定（USD） [22196個在庫]

  • 1 pcs$2.58234
  • 209 pcs$2.56949
品番:
IS43DR16160B-3DBLI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-LEDドライバー, インターフェイス-ダイレクトデジタル合成（DDS）, 組み込み-FPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）, データ収集-タッチスクリーンコントローラー, 組み込み-CPLD（複雑なプログラマブルロジックデバイス）, PMIC-PFC（力率補正）, 記憶 and ICチップを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI electronic components. IS43DR16160B-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160B-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160B-3DBLI 製品の属性

品番 : IS43DR16160B-3DBLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 256Mb (16M x 16)
クロック周波数 : 333MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 450ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 84-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 84-TWBGA (8x12.5)

最新ニュース

Silicom MinnowBoard Turbot
あなたも興味があるかもしれません
  • W25M512JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25V02A-DGQTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • AT28HC64BF-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS SOIC IND GRN

  • 71V3577S75PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W9812G2KB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54BGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL

ホットパーツ