Toshiba Memory America, Inc. - TC58CVG0S3HRAIG

KEY Part #: K939719

TC58CVG0S3HRAIG 価格設定(USD) [26323個在庫]

  • 1 pcs$1.74077

品番:
TC58CVG0S3HRAIG
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
詳細な説明:
IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm Serial NAND
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-電源管理-専門, データ収集-D / Aコンバーター(DAC), インターフェース-フィルター-アクティブ, 組み込み-CPLD(複雑なプログラマブルロジックデバイス), PMIC-配電スイッチ、負荷ドライバー, 組み込み-マイクロコントローラー-アプリケーション固有, 記憶 and データ収集-アナログフロントエンド(AFE)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG0S3HRAIG electronic components. TC58CVG0S3HRAIG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58CVG0S3HRAIG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58CVG0S3HRAIG 製品の属性

品番 : TC58CVG0S3HRAIG
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明 : IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 : 104MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : 155µs
メモリインターフェース : SPI - Quad I/O
電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-WSON (6x8)

あなたも興味があるかもしれません
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM