メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 280µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1081pF @ 400V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63