メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10.7A (Ta), 113A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
56.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4.468nF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8