FGA40T65SHDF 価格設定（USD） [30278個在庫]
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- 品番:
- FGA40T65SHDF
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 80A 268W TO-3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGA40T65SHDF electronic components. FGA40T65SHDF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGA40T65SHDF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGA40T65SHDF 製品の属性
品番 :
FGA40T65SHDF
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
80A
電流-パルスコレクター（Icm） :
120A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.81V @ 15V, 40A
パワー-最大 :
268W
スイッチングエネルギー :
1.22mJ (on), 440µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
68nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
18ns/64ns
試験条件 :
400V, 40A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
101ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
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