DMT6018LDR-7 価格設定（USD） [340746個在庫]
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- 品番:
- DMT6018LDR-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V 60V V-DFN3030-.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6018LDR-7 electronic components. DMT6018LDR-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6018LDR-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6018LDR-7 製品の属性
品番 :
DMT6018LDR-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V 60V V-DFN3030-
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.8A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
869pF @ 30V
パワー-最大 :
1.9W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN3030-8
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