Toshiba Semiconductor and Storage - RN2312(TE85L,F)

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RN2312(TE85L,F) 価格設定(USD) [1936260個在庫]

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品番:
RN2312(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2312(TE85L,F) 製品の属性

品番 : RN2312(TE85L,F)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 100mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : USM

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