Vishay Semiconductor Diodes Division - S5GHE3_A/I

KEY Part #: K6427271

S5GHE3_A/I 価格設定(USD) [437834個在庫]

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品番:
S5GHE3_A/I
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S5GHE3_A/I 製品の属性

品番 : S5GHE3_A/I
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.15V @ 5A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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