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- 品番:
- ISL9R8120P2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor ISL9R8120P2 electronic components. ISL9R8120P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R8120P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ISL9R8120P2 製品の属性
品番 :
ISL9R8120P2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
シリーズ :
Stealth™
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3.3V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
300ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
30pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-2L
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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