Alliance Memory, Inc. - AS4C4M32SA-6TIN

KEY Part #: K938084

AS4C4M32SA-6TIN 価格設定(USD) [19113個在庫]

  • 1 pcs$2.30927
  • 10 pcs$2.10611
  • 25 pcs$2.06618
  • 50 pcs$2.05199
  • 100 pcs$1.84076
  • 250 pcs$1.83368
  • 500 pcs$1.71922
  • 1,000 pcs$1.64606

品番:
AS4C4M32SA-6TIN
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-シグナルターミネーター, ロジック-ゲートとインバーター, PMIC-パワーオーバーイーサネット(PoE)コントローラー, ロジック-パリティジェネレーターとチェッカー, PMIC-配電スイッチ、負荷ドライバー, ロジック-コンパレータ, クロック/タイミング-リアルタイムクロック and 記憶を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TIN electronic components. AS4C4M32SA-6TIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C4M32SA-6TIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C4M32SA-6TIN 製品の属性

品番 : AS4C4M32SA-6TIN
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM
メモリー容量 : 128Mb (4M x 32)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 2ns
アクセス時間 : 5.4ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 86-TSOP II

あなたも興味があるかもしれません
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.