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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG2S0HBAI4

KEY Part #: K938182

TC58BYG2S0HBAI4 価格設定（USD） [19471個在庫]

  • 1 pcs$2.35334
品番:
TC58BYG2S0HBAI4
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
詳細な説明:
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ロジック-FIFOメモリ, PMIC-電圧レギュレータ-リニア, データ収集-D / Aコンバーター（DAC）, インターフェース-音声録音と再生, PMIC-V / FおよびF / Vコンバーター, データ収集-タッチスクリーンコントローラー, インターフェース-アナログスイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ and PMIC-パワーオーバーイーサネット（PoE）コントローラーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI4 electronic components. TC58BYG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG2S0HBAI4 製品の属性

品番 : TC58BYG2S0HBAI4
メーカー : Toshiba Memory America, Inc.
説明 : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
シリーズ : Benand™
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Non-Volatile
メモリフォーマット : FLASH
技術 : FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 : 4G (512M x 8)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns
アクセス時間 : 25ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 63-TFBGA (9x11)

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