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- 品番:
- IRF7233TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7233TR electronic components. IRF7233TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7233TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7233TR 製品の属性
品番 :
IRF7233TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
600mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
74nC @ 5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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