IXYS - IXFH12N80P

KEY Part #: K6394555

IXFH12N80P 価格設定(USD) [22589個在庫]

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品番:
IXFH12N80P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N80P 製品の属性

品番 : IXFH12N80P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
シリーズ : HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3