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- 品番:
- SGP5N60RUFDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 8A 60W TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGP5N60RUFDTU electronic components. SGP5N60RUFDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGP5N60RUFDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGP5N60RUFDTU 製品の属性
品番 :
SGP5N60RUFDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 8A 60W TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
8A
電流-パルスコレクター（Icm） :
15A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
60W
スイッチングエネルギー :
88µJ (on), 107µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
16nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
13ns/34ns
試験条件 :
300V, 5A, 40 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
55ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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