GeneSiC Semiconductor - S12M

KEY Part #: K6425705

S12M 価格設定(USD) [22785個在庫]

  • 1 pcs$2.32006
  • 100 pcs$2.30852

品番:
S12M
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4. Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S12M electronic components. S12M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12M 製品の属性

品番 : S12M
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 12A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
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