Vishay Semiconductor Diodes Division - BA159DGPHE3/73

KEY Part #: K6448183

[1170個在庫]


    品番:
    BA159DGPHE3/73
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BA159DGPHE3/73 electronic components. BA159DGPHE3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BA159DGPHE3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BA159DGPHE3/73 製品の属性

    品番 : BA159DGPHE3/73
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 500ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
    静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • FFD20UP20S

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 20A DPAK.

    • STPS30SM100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP.

    • STPS20SM100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    • BAR43

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • BAT 54W E6327

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB10S60C

      Infineon Technologies

      DIODE SILICON 600V 10A D2PAK.