Vishay Siliconix - SIHFB11N50A-E3

KEY Part #: K6418142

SIHFB11N50A-E3 価格設定(USD) [52944個在庫]

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品番:
SIHFB11N50A-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFB11N50A-E3 製品の属性

品番 : SIHFB11N50A-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1423pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 170W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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