Microsemi Corporation - APT56M60B2

KEY Part #: K6394090

APT56M60B2 価格設定（USD） [6486個在庫]

1 pcs$7.02378
33 pcs$6.98883

品番:: APT56M60B2

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APT56M60B2 electronic components. APT56M60B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT56M60B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT56M60B2 製品の属性

品番 : APT56M60B2

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX

シリーズ : POWER MOS 8™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 60A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 28A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 280nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 11300pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 1040W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]

パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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