説明 :
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
18nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
390pF @ 25V
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-HVMDIP
パッケージ/ケース :
4-DIP (0.300", 7.62mm)