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Microsemi Corporation - JAN1N1190R

KEY Part #: K6443763

JAN1N1190R 価格設定（USD） [1608個在庫]

  • 1 pcs$32.30308
  • 100 pcs$32.14236
品番:
JAN1N1190R
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1190R electronic components. JAN1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N1190R 製品の属性

品番 : JAN1N1190R
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/297
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 35A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 110A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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