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GeneSiC Semiconductor - GB01SLT12-252

KEY Part #: K6447738

GB01SLT12-252 価格設定（USD） [72594個在庫]

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  • 5,000 pcs$0.67565
品番:
GB01SLT12-252
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 electronic components. GB01SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB01SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB01SLT12-252 製品の属性

品番 : GB01SLT12-252
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.8V @ 1A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 69pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
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