メーカー :
Infineon Technologies
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.8V @ 184µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
139nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
10300pF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3