GeneSiC Semiconductor - MBR12035CT

KEY Part #: K6468471

MBR12035CT 価格設定(USD) [1424個在庫]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770

品番:
MBR12035CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 120A Schottky Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR12035CT electronic components. MBR12035CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR12035CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR12035CT 製品の属性

品番 : MBR12035CT
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 120A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 650mV @ 120A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower