Infineon Technologies - IRFH3707TRPBF

KEY Part #: K6421337

IRFH3707TRPBF 価格設定(USD) [470002個在庫]

  • 1 pcs$0.07870
  • 4,000 pcs$0.07526

品番:
IRFH3707TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFH3707TRPBF electronic components. IRFH3707TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH3707TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH3707TRPBF 製品の属性

品番 : IRFH3707TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Ta), 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 755pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (3x3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません