Infineon Technologies - IDH04G65C6XKSA1

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品番:
IDH04G65C6XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH04G65C6XKSA1 製品の属性

品番 : IDH04G65C6XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 12A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.35V @ 4A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 14µA @ 420V
静電容量@ Vr、F : 205pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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