SCTW90N65G2V 価格設定（USD） [1553個在庫]
- 1 pcs$27.86749
- 品番:
- SCTW90N65G2V
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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SCTW90N65G2V 製品の属性
品番 :
SCTW90N65G2V
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3300pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
390W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
HiP247™
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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