NHP620MFDT3G 価格設定（USD） [358937個在庫]
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- 品番:
- NHP620MFDT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL. Rectifiers PUF 3A 200V IN SO-8F
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NHP620MFDT3G electronic components. NHP620MFDT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NHP620MFDT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NHP620MFDT3G 製品の属性
品番 :
NHP620MFDT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
2 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 200V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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