GeneSiC Semiconductor - S25Q

KEY Part #: K6425032

S25Q 価格設定(USD) [18671個在庫]

  • 1 pcs$2.51994
  • 200 pcs$2.50741

品番:
S25Q
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA. Rectifiers 1200V 25A Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S25Q electronic components. S25Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S25Q 製品の属性

品番 : S25Q
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 25A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 25A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
あなたも興味があるかもしれません