Infineon Technologies - BSS806NEH6327XTSA1

KEY Part #: K6405091

BSS806NEH6327XTSA1 価格設定(USD) [907269個在庫]

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品番:
BSS806NEH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS806NEH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSS806NEH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 2.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 0.75V @ 11µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 529pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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