IXDN602SI 価格設定（USD） [48589個在庫]
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- 品番:
- IXDN602SI
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、リニア-ビデオ処理, メモリ-FPGAのコンフィギュレーションプロム, インターフェイス-ダイレクトデジタル合成（DDS）, PMIC-バッテリー管理, PMIC-エネルギー計測, インターフェース-モジュール, PMIC-モータードライバー、コントローラー and PMIC-電圧レギュレータ-DC DCスイッチングコントローラーを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SI electronic components. IXDN602SI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXDN602SI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXDN602SI 製品の属性
品番 :
IXDN602SI
メーカー :
IXYS Integrated Circuits Division
説明 :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
駆動構成 :
Low-Side
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧-供給 :
4.5V ~ 35V
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 3V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
2A, 2A
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
-
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
7.5ns, 6.5ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC-EP
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