Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT300FD060N

KEY Part #: K6533647

VS-GT300FD060N 価格設定(USD) [163個在庫]

  • 1 pcs$282.88070
  • 12 pcs$260.65420

品番:
VS-GT300FD060N
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
IGBT 600V 379A 1250W DIAP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT300FD060N electronic components. VS-GT300FD060N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT300FD060N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT300FD060N 製品の属性

品番 : VS-GT300FD060N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : IGBT 600V 379A 1250W DIAP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Level Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 379A
パワー-最大 : 1250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.5V @ 15V, 300A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 23.3nF @ 30V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Dual INT-A-PAK (4 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ : Dual INT-A-PAK

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.