メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Level Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
600V
Vce(on)(最大)@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 300A
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
250µA
入力容量(Cies)@ Vce :
23.3nF @ 30V
パッケージ/ケース :
Dual INT-A-PAK (4 + 8)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Dual INT-A-PAK