Infineon Technologies - F475R07W2H3B51BPSA1

KEY Part #: K6534568

F475R07W2H3B51BPSA1 価格設定(USD) [1408個在庫]

  • 1 pcs$30.74305

品番:
F475R07W2H3B51BPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F475R07W2H3B51BPSA1 製品の属性

品番 : F475R07W2H3B51BPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
パワー-最大 : 250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.55V @ 15V, 37.5A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 4.7nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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