技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
19A (Ta), 59A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
5.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1200pF @ 20V
消費電力(最大) :
4W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK (SINGLE GAUGE)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63