メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 1V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
2A, 2A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
35V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
10ns, 8ns
動作温度 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
パッケージ/ケース :
10-VFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
10-DFN (3x3)