BS2100F-E2 価格設定（USD） [208632個在庫]
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- 品番:
- BS2100F-E2
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- IC DVR IGBT/MOSFET. Gate Drivers 600V Hi voltage High Low-side Gate Driver
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor BS2100F-E2 electronic components. BS2100F-E2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS2100F-E2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BS2100F-E2 製品の属性
品番 :
BS2100F-E2
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
IC DVR IGBT/MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
駆動構成 :
Half-Bridge
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
N-Channel MOSFET
電圧-供給 :
10V ~ 18V
ロジック電圧-VIL、VIH :
1V, 2.6V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
60mA, 130mA
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
200ns, 100ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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