Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5391GHB0G

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1N5391GHB0G 価格設定(USD) [2500573個在庫]

  • 1 pcs$0.01479

品番:
1N5391GHB0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5391GHB0G 製品の属性

品番 : 1N5391GHB0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1.5A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AC, DO-15, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AC (DO-15)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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