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- 品番:
- JANTXV1N5621US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 1A D5A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5621US electronic components. JANTXV1N5621US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5621US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5621US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5621US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
300ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
20pF @ 12V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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