ON Semiconductor - MBR1060G

KEY Part #: K6442951

MBR1060G 価格設定(USD) [114050個在庫]

  • 1 pcs$0.40974
  • 10 pcs$0.34053
  • 100 pcs$0.26099
  • 500 pcs$0.20631
  • 1,000 pcs$0.16505

品番:
MBR1060G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 60V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor MBR1060G electronic components. MBR1060G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR1060G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR1060G 製品の属性

品番 : MBR1060G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220-2
シリーズ : SWITCHMODE™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 60V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 60V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.