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- 品番:
- IPB023N04NGATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IPB023N04NGATMA1 製品の属性
品番 :
IPB023N04NGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 95µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10000pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
167W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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