NGTB30N120L2WG 価格設定（USD） [9660個在庫]
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- 90 pcs$3.49808
- 品番:
- NGTB30N120L2WG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 60A 534W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NGTB30N120L2WG electronic components. NGTB30N120L2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB30N120L2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTB30N120L2WG 製品の属性
品番 :
NGTB30N120L2WG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 60A 534W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
60A
電流-パルスコレクター（Icm） :
120A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 30A
パワー-最大 :
534W
スイッチングエネルギー :
4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
310nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
116ns/285ns
試験条件 :
600V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
450ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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