Rohm Semiconductor - RF6C055BCTCR

KEY Part #: K6393224

RF6C055BCTCR 価格設定(USD) [390420個在庫]

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品番:
RF6C055BCTCR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF6C055BCTCR 製品の属性

品番 : RF6C055BCTCR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1080pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TUMT6
パッケージ/ケース : 6-SMD, Flat Leads